• Троицкий филиал Физического института имени П. Н. Лебедева

    Троицкий филиал Физического института имени П. Н. Лебедева РАН (ФИАНа) расположен в Троицке. Современное название - Троицкое обособленное подразделение ФИАН.

    Адрес: Москва, Троицк, ул. Юбилейная, 3

    Филиал Физического института имени П. Н. Лебедева в Троицке ведет свою историю 1963 года. В Троицке располагалась основная технологическая база Института, обеспечивающая разработку, конструирование и в изготовление научных приборов установок для физического эксперимента. Общее число рабе тающих составляет около тысячи человек.


    В Троицке находится один из самых больших отделов Института - Отдел физики высоких энергий, который основал и возглавлял до 1990 года лауреат Нобелевской премии по физики академик П. А. Черенков. Научные сотрудники Отдела осуществляют широкие международные контакты с ведущими научными центрами мира по физике высоких энергий, участвуя в совместных научных проектах в Церне (Швейцария) и Дези (ФРГ).

    В Троицке расположена значительная часть Отделения квантовой радиофизики ФИАН, которое возглавляет лауреат Нобелевской премии по физике академик Н. Г. Басов. Здесь ведутся работы по созданию, исследованию и применению лазеров в технологии, медицине, обработке информации и других области науки и техники. Среди впечатляющих результатов, полученных учеными в Троицке, можно назвать разработку принципов лазерного телевидения, позволяющего проектировать на большой экран (сравнимый по размерам с киноэкраном) цветное изображение телевизионных кадров.

    Филиал включает в себя "Троицкий Технопарк ФИАН"

    Здесь в содружестве с конструкторами создан уникальный стандарт частоты, настолько компактный, что его можно легко транспортировать на автомобиле. Он обеспечивает стабильность частоты +/-2*10 -14 .

    В отделении проводятся исследования химических лазеров в ближнем инфракрасном и видимом диапазоне длин волн и по физике ультракоротких импульсов лазерного излучения.

    На площадке ФИАН в Троицке расположено крупнейшее в системе РАН Особое конструкторское бюро - производственная база Института. Его назначение-обеспечение физического эксперимента оборудованием, научными приборами, оптикой, кристаллами со специальными свойствами, полупроводниковыми и оптоэлектронными приборами.

    В Отделе технологии полупроводниковых материалов разрабатываются технологии выращивания кристаллов со специальными свойствами, создания полупроводниковых лазеров и устройств оптоэлектроники.

    Оптический исследовательский отдел занят разработкой аппаратуры для диагностики лазерного излучения.

    В Особом конструкторском бюро ФИАН ведутся работы по созданию новых лазеров и их элементов. На Международной выставке "Наука-88" внимание специалистов привлек разработанный в ОКБ лазер на парах бромида меди со средней мощностью 10 ватт. Он был также награжден серебряной медалью ВДНХ и дипломом выставки "Научприбор СЭВ-89" в Берлине.
    Ответить Подписаться